ICP-OES電感耦合等離子發(fā)射光譜儀:等離子體發(fā)射光譜分析法是光譜分析技術中,以等離子體炬作為激發(fā)光源的一種發(fā)射光譜分析技術。其中以電感耦合等離子體(inductively coupled plasma,簡稱為ICP)作為激發(fā)光源的發(fā)射光譜分析方法,簡稱為ICP-OES,是光譜分析中研究為深入和應用為廣泛、有效的分析技術之一。
等離子體發(fā)射光譜分析法是光譜分析技術中,以等離子體炬作為激發(fā)光源的一種發(fā)射光譜分析技術。其中以電感耦合等離子體(inductively coupled plasma,簡稱為ICP)作為激發(fā)光源的發(fā)射光譜分析方法,簡稱為ICP-OES,是光譜分析中研究為深入和應用為廣泛、有效的分析技術之一。
ICP-OES電感耦合等離子發(fā)射光譜儀分析原理:
電感耦合等離子體焰矩溫度可達6000~8000K,當將試樣由進樣器引入霧化器,并被氬載氣帶入焰矩時,則試樣中組分被原子化、電離、激發(fā),以光的形式發(fā)射出能量。不同元素的原子在激發(fā)或電離時,發(fā)射不同波長的特征光譜,故根據(jù)特征光的波長可進行定性分析;元素的含量不同時,發(fā)射特征光的強弱也不同,據(jù)此可進行定量分析,其定量關系可用下式表示:
I=aC^b
式中:I—發(fā)射特征譜線的強度;
C—被測元素的濃度;
a—與試樣組成、形態(tài)及測定條件等有關的系數(shù);
b—自吸系數(shù),b≤1
電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀ICP-OES的應用領域:
ICP-OES目前主要應用包括以下幾方面:
1、材料類檢測:主要包括傳統(tǒng)金屬材料以及新型材料的成分檢測。
2、環(huán)境與安全類:主要包括食品、食品容器以及其包裝材料的重金屬檢測;玩具以及兒童用品及其包裝材料中的有害重金屬檢測。(銻、砷、鋇、鉻、鎘、鉛、汞等);電子電器材料有害物質檢測。(Pb、Cd、Hg等);化妝品、洗滌劑及其包裝材料中的有害成分:砷、汞、鉛等。
3、醫(yī)藥類:一般應用于藥品以及一些保健品的有害成分以及營養(yǎng)成分的檢測
4、地質、礦產、農業(yè)行業(yè)的檢測:主要應用于分析地質、礦產、土壤等材料中的元素檢測以及研究。
5、任何高純物質的檢測:主要包括氯堿化工的高純燒堿及其原材料的微量元素分析以及高純藥品中間體。
1、ICP-OES電感耦合等離子發(fā)射光譜儀主要配置及附件:
以光電倍增管PMT檢測器為基礎的單道掃描電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀,高頻發(fā)生器,自動調諧,提供具有中英文操作界面的軟件;
自動溫控循環(huán)冷卻水系統(tǒng);
氬氣導管;
冷卻水管;
高靈敏度進樣系統(tǒng)(高效進口霧化器加雙筒型霧化室)。
2、主要技術參數(shù):
臺式,等離子體垂直觀測系統(tǒng)。
等離子體火焰可進行二維調整(由計算機控制),并利用“儀器診斷”功能,實時觀察調整結果。
精密度 :優(yōu)于檢定規(guī)程*標準
穩(wěn)定性 :優(yōu)于檢定規(guī)程*標準
分辨率 :在Mn257.610nm處,峰半高寬為≤0.008nm(3600線光柵)。
≤0.015 nm(2400線光柵)。
所有元素滿足國標*標準,部分元素如Ba檢出限遠低于*標準
譜線靈活性:可對分析元素的譜線進行定性、半定量和定量分析。擁有幾千條譜線,可以根據(jù)需要與愛好選擇適當?shù)淖V線,避開可能存在的干擾,為您提供更多的選擇,更合理的推薦,讓測試變得更加專業(yè)與準確。